GaAsHBT相关论文
在传统Doherty功率放大器的基础上，采用砷化镓（GaAs）异质结双极晶体管（HBT）工艺，设计了一款可应用于5G通信N79频段（4.4～5 GHz）的高回退效率M......
近30年来,智能化设备不断普及,极大地改变了人们的交流方式,同时也导致了人们对网络传输速率提出更高的要求,迫使无线通信技术飞速......
针对5G对驱动功率放大器的应用需求，提出一种带非线性补偿的宽带GaAs HBT驱动功率放大器设计。利用有源偏置电路与三阶交调失真消除......
为了提高基站的覆盖范围和通信质量,不仅需要大量部署不同层次的基站,而且5G新标准也对射频功率放大器的线性和效率提出新挑战。5G......
5G移动通信商业化已经开始。得益于高速的传输速率、毫秒级的传输延时以及千亿级海量的设备联网能力,许多应用场景正被实现,万物互......
随着无线通信标准的更新迭代,通信规划的频段越来越多,调制方式也越来越复杂。宽带的射频驱动放大器,能同时满足对多个频段信号放......
针对WIFI 6E频段的设备需求，设计了一款工作在5.9 GHz～7.2 GHz的宽带砷化镓异质结双极型晶体管（GaAs HBT）功率放大器。功率放大器为三......
近年来,随着移动通信的快速发展,第五代移动通信系统（5G）已经逐渐成为学术领域和商用领域的焦点。5G通信的发展主要包括两个驱动因素......
无线局域网（Wireless Local Area Network）技术伴随着通信技术的快速发展应用越来越广泛,设备越来越智能,新一代无线局域网标准在201......
随着人们对无线通信技术的需求不断增加,无线收发系统也就面临着更高的要求。在无线收发系统中,功率放大器将小的调制信号放大至足......
为解决传统达林顿结构的单片射频放大器线性度低和高低温下静态电流变化大的问题,设计了动态偏置电路和有源偏置电路来提高放大器......
本文介绍了390MHZ低压、高效率、高线性GaAs HBT功率放大器芯片的研制。该放大器采用InGaP／GaAs HBT技术，芯片尺寸分别为1.2mm×1.72......
本文报道了1.5GHz 3.4V 5W GaAs HBT功率放大器芯片的研制结果。该放大器采用2μm InGaP／GaAsHBT技术，芯片尺寸为1.86mm×2.26mm，在3.......
据《电子材料》1995年第2期报道，日本富士通公司研制成3．3V低压、高效工作的GaAsHBT，其性能为：输出功率1W，功率附加效率70％，功率增益15dB（......
日本Anritsu公司的一个研究小组开发出一种新的基于InGap/GaAs异质结构双极晶体管的分配放大器,并达到创纪录的504GHz增益一带宽......
采用GaAs标准MMIC工艺制作了具有片上RC并联稳定网络的InGaP/GaAs HBT微波功率管单胞.依据K稳定因子,RC网络使功率管在较宽的频带......
针对GaAs HBT功率放大器件,提出了一种能够提升效率的方法,在分析了功率放大器的工作状态、自适应偏置电路的工作机制及功能缺陷、......
本文设计了一种小型化、带宽达到倍频程的VCO,采用集成VCO单片上粘变容管的方法,解决了全集成VCO中变容管的线性度差和电感Q值低的......
随着第五代移动通信模式的全面开启,高速、可靠、大容量的通信网络刺激着各种应用技术的快速发展,推动着工业、生活智能化社会的演......
随着现代通信的不断发展,现代通信系统朝着更高的信息吞吐量、更快的数据传输速率、更节能环保等多个方向发展,为了在有限的频谱带......
Ｘ波段输出功率２Ｗ ＧａＩｎＰ／ＧａＡｓＨＢＴ据（（Ｍｉｃｒｏｗａｖ＆ＲＦ））１９９４年第４期报道，ＡＩＧａＡｓ是ＧａＡｓ为基底的ＨＢＴ发射区选用的材料。而ＧａｌｎＰ发射区具有以下特性：最高振荡频率超过１００ＧＨｚ，大于１００的高电流增益。据报道，已...
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针对静态分频器工作频率越高功耗越大的问题，本文采用GaAsHBT工艺研究设计了高性能动态分频器。通过对动态分频器结构进行研究，采用......
模数转换器（ADC）在数字领域和模拟领域之间搭起了一座桥梁，在无线收发和数字测量中有广泛的应用。最近几年无线通信技术取得了长足的......
